Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/80832
Название: Influence of the focused ion beam parameters on the etching of planar nanosized multigraphene/SiC field emitters
Авторы: Jityaev, I. L.
Svetlichnyi, A. M.
Avilov, V. I.
Kots, I. N.
Kolomiytsev, A. S.
Ageev, O. A.
Дата публикации: 2018
Издатель: Ural Federal University
Библиографическое описание: Influence of the focused ion beam parameters on the etching of planar nanosized multigraphene/SiC field emitters / I. L. Jityaev, A. M. Svetlichnyi, V. I. Avilov, I. N. Kots, A. S. Kolomiytsev, O. A. Ageev // Scanning Probe Microscopy. Abstract Book of International Conference (Ekaterinburg, August 25-28, 2019). — Ekaterinburg, Ural Federal University, 2018. — p. 131.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/80832
Конференция/семинар: International Conference "Scanning Probe Microscopy" ; International Workshop "Modern Nanotechnologies" ; International Youth Conference "Functional Imaging of Nanomaterials"
Дата конференции/семинара: 26.08.2018-29.08.2018
ISBN: 978-5-9500624-1-4
Сведения о поддержке: The equipment of the Collective Usage Center “Nanotechnologies” and the Research and Educational Center "Nanotechnologies" of Southern Federal University was used for this study. This work was funded by Internal grant of Southern Federal University No. VnGr-07/2017-26.
Источники: International Conference "Scanning Probe Microscopy" ; International Workshop "Modern Nanotechnologies" ; International Youth Conference "Functional Imaging of Nanomaterials". — Ekaterinburg, 2018
Располагается в коллекциях:Scanning Probe Microscopy

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
978-5-9500624-1-4_2018_091.pdf265,25 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.