Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/80716
Название: Study of formation of high aspect GaAs structures based on the method of focused ion beams
Авторы: Rezvan, A. A.
Klimin, V. S.
Solodovnik, M. S.
Дата публикации: 2018
Издатель: Ural Federal University
Библиографическое описание: Rezvan A. A. Study of formation of high aspect GaAs structures based on the method of focused ion beams / A. A. Rezvan, V. S. Klimin, M. S. Solodovnik // Scanning Probe Microscopy. Abstract Book of International Conference (Ekaterinburg, August 25-28, 2019). — Ekaterinburg, Ural Federal University, 2018. — p. 190-191.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/80716
Конференция/семинар: International Conference "Scanning Probe Microscopy" ; International Workshop "Modern Nanotechnologies" ; International Youth Conference "Functional Imaging of Nanomaterials"
Дата конференции/семинара: 26.08.2018-29.08.2018
ISBN: 978-5-9500624-1-4
Сведения о поддержке: This work was supported by the Russian Science Foundation Grant No. 15-19-10006. The results were obtained using the equipment of the Research and Education Center and Center for Collective Use "Nanotechnologies" of Southern Federal University.
Карточка проекта РНФ: 15-19-10006
Источники: International Conference "Scanning Probe Microscopy" ; International Workshop "Modern Nanotechnologies" ; International Youth Conference "Functional Imaging of Nanomaterials". — Ekaterinburg, 2018
Располагается в коллекциях:Scanning Probe Microscopy

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
978-5-9500624-1-4_2018_137.pdf195,77 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.