Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/51136
Название: | Influence of the composition on electrical properties of low-temperature ionic conductors in the Cu1-x Ag (x) GeAsSe3 system |
Авторы: | Kheifets, O. L. Mel'nikova, N. V. Filippov, A. L. Shakirov, E. F. Babushkin, A. N. Nugaeva, L. L. |
Дата публикации: | 2012 |
Издатель: | Pleiades Publishing Ltd |
Библиографическое описание: | Influence of the composition on electrical properties of low-temperature ionic conductors in the Cu1-x Ag (x) GeAsSe3 system / O. L. Kheifets, N. V. Mel'nikova, A. L. Filippov, E. F. Shakirov, A. N. Babushkin, L. L. Nugaeva // Physics of the Solid State. — 2012. — Vol. 54. — № 8. — P. 1562-1565. |
Аннотация: | The chalcogenides Cu 1 - xAg xGeAsSe 3 (x = 0. 5, 0. 8, 0. 9) have been synthesized and their electrical properties have been studied at low temperatures. Compounds of this type are electron-ionic conductors with a mixed character of conduction. It has been shown that the substitution of copper atoms for a part of silver atoms in the AgGeAsSe 3 compound leads to a decrease in the total conductivity, a decrease in the fraction of ionic component of the conductivity, a significant increase in the polarization times, an increase in the temperature of the onset of a noticeable contribution (as compared to the electron contribution) of the ionic transport, and a decrease in the activation energy of carriers. © 2012 Pleiades Publishing, Ltd. |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/51136 |
Идентификатор SCOPUS: | 84865519706 |
Идентификатор WOS: | 000307293400004 |
Идентификатор PURE: | 1077687 |
ISSN: | 1063-7834 1090-6460 |
DOI: | 10.1134/S1063783412080136 |
Располагается в коллекциях: | Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC |
Файлы этого ресурса:
Нет файлов, ассоциированных с этим ресурсом.
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.