Physicochemical conditions of GaAs/GaAsxNy/GaN nanochips stability

Abstract

In this work the study of the stability nanochips GaAs/GaAsxNy/GaN is presented. For the calculation of parameters used quantum-chemical and thermodynamic approaches. The calculations of the surface free energy nanochips within the models used show that a significant contribution to the crystalline structure stability of the GaN layer is the molar concentration of nitrogen atoms in the intermediate layer GaAsxNy nanochips GaAs/GaAsxNy/GaN.

В работе представлено исследование устойчивости наночипов GaAs/GaAsxNy/GaN. Для расчетов параметров применялись квантово-химический и термодинамических подходы. Расчеты свободной поверхностной энергии наночипов в рамках используемых моделей показывают, что существенный вклад на кристаллическую структуру слоя GaN носит мольная концентрация атомов азота в промежуточном слое GaAsxN наночипа GaAs/GaAsxNy/GaN.