Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/30608
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Komarovskih, N. V. | en |
dc.contributor.author | Fomina, L. V. | en |
dc.contributor.author | Beznosyuk, S .А. | en |
dc.contributor.author | Комаровских, Н. В. | ru |
dc.contributor.author | Фомина, Л. В. | ru |
dc.contributor.author | Безносюк, С. А. | ru |
dc.date.accessioned | 2015-04-28T08:39:58Z | - |
dc.date.available | 2015-04-28T08:39:58Z | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier.citation | Physicochemical conditions of GaAs/GaAsxNy/GaN nanochips stability / N. V. Komarovskih, L. V. Fomina, S .А. Beznosyuk = Physicochemical conditions of GaAs/GaAsxNy/GaN nanochips stability / Н. В. Комаровских, Л. В. Фомина., С. А. Безносюк // Chimica Techno Acta. — 2015. — Vol. 2. № 1. — С. 78-87. | ru |
dc.identifier.issn | 2409-5613 | - |
dc.identifier.uri | http://elar.urfu.ru/handle/10995/30608 | - |
dc.description.abstract | In this work the study of the stability nanochips GaAs/GaAsxNy/GaN is presented. For the calculation of parameters used quantum-chemical and thermodynamic approaches. The calculations of the surface free energy nanochips within the models used show that a significant contribution to the crystalline structure stability of the GaN layer is the molar concentration of nitrogen atoms in the intermediate layer GaAsxNy nanochips GaAs/GaAsxNy/GaN. | en |
dc.description.abstract | В работе представлено исследование устойчивости наночипов GaAs/GaAsxNy/GaN. Для расчетов параметров применялись квантово-химический и термодинамических подходы. Расчеты свободной поверхностной энергии наночипов в рамках используемых моделей показывают, что существенный вклад на кристаллическую структуру слоя GaN носит мольная концентрация атомов азота в промежуточном слое GaAsxN наночипа GaAs/GaAsxNy/GaN. | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | en |
dc.language.iso | en | en |
dc.language.iso | ru | en |
dc.relation.ispartof | Chimica Techno Acta. 2015. Vol. 2. № 1. | ru |
dc.subject | QUANTUM-CHEMICAL CALCULATIONS | en |
dc.subject | STABILITY OF NANOCHIPS | en |
dc.subject | GALLIUM ARSENIDES | en |
dc.subject | GALLIUM NITRIDE | en |
dc.subject | THERMODYNAMICS | en |
dc.subject | CRYSTAL STRUCTURE | en |
dc.subject | КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ | ru |
dc.subject | УСТОЙЧИВОСТЬ НАНОЧИПОВ | ru |
dc.subject | АРСЕНИДЫ ГАЛЛИЯ | ru |
dc.subject | НИТРИД ГАЛЛИЯ | ru |
dc.subject | ТЕРМОДИНАМИКА | ru |
dc.subject | КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА | ru |
dc.title | Physicochemical conditions of GaAs/GaAsxNy/GaN nanochips stability | en |
dc.title | Физико-химические условия устойчивости наночипов GaAs/GaAsxNy/GaN | ru |
dc.type | Article | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
dc.identifier.rsi | https://elibrary.ru/item.asp?id=23272002 | - |
dc.identifier.doi | http://dx.doi.org/10.15826/chimtech.2015.2.2.008 | - |
Располагается в коллекциях: | Chimica Techno Acta |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
cta-2015-1-08.pdf | 514,24 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.