Химическое осаждение из растворов тонких полупроводниковых пленок In2S3 для солнечных преобразователей

Туленин, С. С.; Марков, В. Ф.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/130098

Title:	Химическое осаждение из растворов тонких полупроводниковых пленок In2S3 для солнечных преобразователей
Authors:	Туленин, С. С. Марков, В. Ф.
Issue Date:	2014
Publisher:	Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина
Citation:	Туленин С. С. Химическое осаждение из растворов тонких полупроводниковых пленок In2S3 для солнечных преобразователей / С. С. Туленин, В. Ф. Марков. — Текст: непосредственный // Химия в федеральных университетах : cборник статей материалов II научно-технической конференции магистрантов и аспирантов ведущих университетов России, 4-8 ноября 2014 года. — Екатеринбург: УрФУ, 2014. — С. 263-265.
Abstract:	Показана перспективность In2S3 как широкозонного буферного слоя для солнечных преобразователей. Лучшими характеристиками среди различных гетероструктур обладает PbS-In2S3.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/130098
Conference name:	II научно-техническая конференция магистрантов и аспирантов ведущих университетов России «Химия в федеральных университетах»
Conference date:	04.11.2004-08.11.2014
Sponsorship:	Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант № 11-03-00063-а).
Origin:	Химия в федеральных университетах : cборник статей материалов конференции. — Екатеринбург, 2014
Appears in Collections:	Конференции, семинары

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
cfu-2014-74.pdf		980,85 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record