Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/130098
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТуленин, С. С.ru
dc.contributor.authorМарков, В. Ф.ru
dc.date.accessioned2024-04-01T11:58:05Z-
dc.date.available2024-04-01T11:58:05Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationТуленин С. С. Химическое осаждение из растворов тонких полупроводниковых пленок In2S3 для солнечных преобразователей / С. С. Туленин, В. Ф. Марков. — Текст: непосредственный // Химия в федеральных университетах : cборник статей материалов II научно-технической конференции магистрантов и аспирантов ведущих университетов России, 4-8 ноября 2014 года. — Екатеринбург: УрФУ, 2014. — С. 263-265.ru
dc.identifier.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/130098-
dc.description.abstractПоказана перспективность In2S3 как широкозонного буферного слоя для солнечных преобразователей. Лучшими характеристиками среди различных гетероструктур обладает PbS-In2S3.ru
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант № 11-03-00063-а).ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoenen
dc.publisherУральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцинаru
dc.relation.ispartofХимия в федеральных университетах : cборник статей материалов конференции. — Екатеринбург, 2014ru
dc.titleХимическое осаждение из растворов тонких полупроводниковых пленок In2S3 для солнечных преобразователейru
dc.typeConference Paperen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjecten
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
dc.conference.nameII научно-техническая конференция магистрантов и аспирантов ведущих университетов России «Химия в федеральных университетах»ru
dc.conference.date04.11.2004-08.11.2014
local.description.firstpage263
local.description.lastpage265
local.fund.rffi11-03-00063
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
cfu-2014-74.pdf980,85 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.