Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/111480
Название: Renormalization of Hole-hole Interaction at Decreasing Drude Conductivity: Gated GaAs/ Inx Ga1-x As GaAs Heterostructures
Авторы: Minkov, G. M.
Germanenko, A. V.
Rut, O. E.
Sherstobitov, A. A.
Zvonkov, B. N.
Дата публикации: 2007
Издатель: American Physical Society (APS)
Библиографическое описание: Renormalization of Hole-hole Interaction at Decreasing Drude Conductivity: Gated GaAs/ Inx Ga1-x As GaAs Heterostructures / G. M. Minkov, A. V. Germanenko, O. E. Rut et al. // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. — 2007. — Vol. 76. — Iss. 16. — 165314.
Аннотация: The diffusion contribution of the hole-hole interaction to the conductivity is analyzed in gated GaAs/ Inx Ga1-x As GaAs heterostructures. We show that the change of the interaction correction to the conductivity with the decreasing Drude conductivity results both from the compensation of the singlet and triplet channels and from the arising prefactor αi <1 in the conventional expression for the interaction correction. © 2007 The American Physical Society.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/111480
Условия доступа: info:eu-repo/semantics/openAccess
Идентификатор SCOPUS: 35648981582
Идентификатор WOS: 000250620600077
Идентификатор PURE: 8531438
ISSN: 1098-0121
Сведения о поддержке: We would like to thank I. V. Gornyi for very useful discussions and I. S. Burmistrov for a critical reading of the manuscript and valuable comments. This work was supported in part by the RFBR (Grants No. 05-02-16413, No. 06-02-16292, and No. 07-02-00528), and the CRDF (Grant No. Y3-P-05-16).
Располагается в коллекциях:Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2-s2.0-35648981582.pdf327,7 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.