Пиннинг уровня Ферми на (110) поверхности III-As полупроводников

Abstract

Методом Кельвин-зонд микроскопии установлено, что на (110) поверхности III-As полупроводников при окислении уровень Ферми закрепляется на расстоянии от уровня вакуума в 4.8 ± 0.1 эВ и 4.9 ± 0.1 эВ для n- и p-типа соответственно.

By Kelvin probe force microscopy it was revealed the positions of Fermi level pinning in the surface of III-As semiconductors. The position of pinning is of -4.8 ± 0.1 eV from vacuum level for n-type and is of -4.9 ± 0.1 eV for p-type semiconductors.