1. Электронный научный архив УрФУ
  2. 00. Общеуниверситетские коллекции
  3. Конференции, семинары, сборники
  4. Scanning Probe Microscopy
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/104206
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorАлексеев, П. А.ru
dc.contributor.authorДунаевский, М. С.ru
dc.contributor.authorБерковиц, В. Л.ru
dc.contributor.authorAlekseev, P. A.en
dc.contributor.authorDunaevskii, M. S.en
dc.contributor.authorBerkovits, V. L.en
dc.date.accessioned2021-09-20T13:51:44Z-
dc.date.available2021-09-20T13:51:44Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationАлексеев П. А. Пиннинг уровня Ферми на (110) поверхности III-As полупроводников / П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, В. Л. Берковиц // Scanning Probe Microscopy. Abstract Book of International Conference (Ekaterinburg, August 27-30, 2017). — Ekaterinburg, Ural Federal University, 2017. — 166 p.ru
dc.identifier.isbn978-5-9500624-0-7-
dc.identifier.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/104206-
dc.description.abstractМетодом Кельвин-зонд микроскопии установлено, что на (110) поверхности III-As полупроводников при окислении уровень Ферми закрепляется на расстоянии от уровня вакуума в 4.8 ± 0.1 эВ и 4.9 ± 0.1 эВ для n- и p-типа соответственно.ru
dc.description.abstractBy Kelvin probe force microscopy it was revealed the positions of Fermi level pinning in the surface of III-As semiconductors. The position of pinning is of -4.8 ± 0.1 eV from vacuum level for n-type and is of -4.9 ± 0.1 eV for p-type semiconductors.en
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при поддержке гранта РФФИ №16-32-60147 мол_а_дк.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoruen
dc.publisherUral Federal Universityen
dc.relation.ispartofInternational Conference "Scanning Probe Microscopy" ; International Youth Conference "Application of Scanning Probe Microscopy in Scientific Research". — Ekaterinburg, 2017ru
dc.titleПиннинг уровня Ферми на (110) поверхности III-As полупроводниковru
dc.title.alternativeFermi level pinning on the (110) surface of III-As semiconductorsen
dc.typeConference Paperen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjecten
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
dc.conference.nameInternational Conference "Scanning Probe Microscopy" ; International Youth Conference "Application of Scanning Probe Microscopy in Scientific Research"en
dc.conference.date27.08.2017-30.08.2017-
local.description.firstpage166-
local.description.lastpage167-
local.description.orderP-33-
local.fund.rffi16-32-60147-
Располагается в коллекциях:Scanning Probe Microscopy

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
978-5-9500624-0-7_2017_096.pdf297,17 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Статистика  Google Scholar





Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.