Исследование режимов профилирования наноразмерных структур методами силовой зондовой нанолитографии и плазмохимического травления

Abstract

Представлены результаты экспериментальных исследований режимов профилирования наноструктур методами силовой зондовой литографии и плазмохимического травления. Показано, что применение методов силовой зондовой литографии и плазмохимического травления позволяет профилировать поверхность кремния с характерными размерами 122±17 нм.

This work presents the results of the experimental investigations nanostructure profiling using scratching probe nanolithography and plasma chemical etching. It is shown, combination of these methods allows to profile silicon surface with dimensions 122±17 nm.