Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/101828
Название: Charge puddles in germanene
Авторы: Yao, Q.
Jiao, Z.
Bampoulis, P.
Zhang, L.
Rudenko, A. N.
Katsnelson, M. I.
Zandvliet, H. J. W.
Дата публикации: 2019
Издатель: American Institute of Physics Inc.
Библиографическое описание: Charge puddles in germanene / Q. Yao, Z. Jiao, P. Bampoulis, et al. — DOI 10.1063/1.5085304 // Applied Physics Letters. — 2019. — Vol. 114. — Iss. 4. — 041601.
Аннотация: We report an investigation of the electronic inhomogeneities in a single germanene layer grown on a molybdenum disulfide (MoS 2 ) substrate. Using scanning tunneling microscopy and spectroscopy, we have recorded spatial maps of the Dirac point of germanene. The Dirac point maps reveal the presence of charge puddles in the germanene sheet. The Dirac point varies from -30 meV to +15 meV, corresponding to a charge density in the puddles in the range of 2.6 × 10 -3 electrons to 6.6 × 10 -4 holes per nm 2 . The radius of these puddles is about 10-20 nm, resulting in a total charge of the order of one charge carrier per puddle. The defect concentration in the top layer of the MoS 2 substrate is very comparable to the density of charge puddles, suggesting that the charge puddles are caused by the charged defects in the top layer of the MoS 2 substrate. © 2019 Author(s).
Ключевые слова: DEFECTS
LAYERED SEMICONDUCTORS
MOLYBDENUM COMPOUNDS
SCANNING TUNNELING MICROSCOPY
SUBSTRATES
CHARGED DEFECTS
DEFECT CONCENTRATIONS
DENSITY OF CHARGES
INHOMOGENEITIES
MOLYBDENUM DISULFIDE
SCANNING TUNNELING MICROSCOPY AND SPECTROSCOPY
SPATIAL MAPS
TOTAL CHARGE
SULFUR COMPOUNDS
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/101828
Условия доступа: info:eu-repo/semantics/openAccess
Идентификатор SCOPUS: 85060791998
Идентификатор WOS: 000457527500008
Идентификатор PURE: 76f89725-f08a-4a65-9da7-5f1ec526c7b2
8863144
ISSN: 36951
DOI: 10.1063/1.5085304
Располагается в коллекциях:Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2-s2.0-85060791998.pdf1,17 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.