Формирование доменной структуры в результате самопроизвольного обратного переключения в монокристаллах релаксорного сегнетоэлектрика SrxBa1-xNb2O6

Федоровых, В. В.; Колчина, E. А.; Шур, В. Я.; Пелегов, Д. В.; Нерадовский, М. М.; Шихова, В. А.; Ивлева, Л. И.; Dec, J.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/99147

Название:	Формирование доменной структуры в результате самопроизвольного обратного переключения в монокристаллах релаксорного сегнетоэлектрика SrxBa1-xNb2O6
Другие названия:	DOMAIN STRUCTURE FORMATION BY SPONTANEOUS BACKSWITHCING IN SINGLE CRYSTAL RELAXOR FERROELECTRIC SrxBa1-XNb2O6
Авторы:	Федоровых, В. В. Колчина, E. А. Шур, В. Я. Пелегов, Д. В. Нерадовский, М. М. Шихова, В. А. Ивлева, Л. И. Dec, J.
Дата публикации:	2016
Издатель:	УрФУ
Библиографическое описание:	Формирование доменной структуры в результате самопроизвольного обратного переключения в монокристаллах релаксорного сегнетоэлектрика SrxBa1-xNb2O6 / В. В. Федоровых, E. А. Колчина, В. Я. Шур, Д. В. Пелегов, М. М. Нерадовский, В. А. Шихова, Л. И. Ивлева, J. Dec // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов III Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 16–20 мая 2016 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2016. — C. 192-193.
Аннотация:	The evolution of domain structure has been studied in single crystal of uniaxial relaxor ferroelectrics x 1 x 2 6 Sr Ba Nb O  . We report the investigation of spontaneous backswitching (“flip-back”) after abrupt removing of the applied field in single crystal by analysis of the switching current and by visualization of domain structures on polar and nonpolar crystal cuts.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/99147
Конференция/семинар:	III Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации»
Дата конференции/семинара:	16.05.2016-20.05.2016
Сведения о поддержке:	В работе было использовано оборудование Уральского центра коллективного пользования "Современные нанотехнологии», УрФУ. Исследование выполнено при поддержке Правительства Российской федерации (постановление № 211, контракт 02.A03.21.0006) и РФФИ (грант 16-02-00821-а).
Источники:	Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2016). — Екатеринбург, 2016
Располагается в коллекциях:	Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:

Файл	Описание	Размер	Формат
fti_2016_110.pdf		440,14 kB	Adobe PDF	Просмотреть/Открыть

Показать полное описание ресурса Статистика

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.