ISSN: 2310-757X
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/99147Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Федоровых, В. В. | ru |
| dc.contributor.author | Колчина, E. А. | ru |
| dc.contributor.author | Шур, В. Я. | ru |
| dc.contributor.author | Пелегов, Д. В. | ru |
| dc.contributor.author | Нерадовский, М. М. | ru |
| dc.contributor.author | Шихова, В. А. | ru |
| dc.contributor.author | Ивлева, Л. И. | ru |
| dc.contributor.author | Dec, J. | ru |
| dc.date.accessioned | 2021-06-22T08:08:15Z | - |
| dc.date.available | 2021-06-22T08:08:15Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Формирование доменной структуры в результате самопроизвольного обратного переключения в монокристаллах релаксорного сегнетоэлектрика SrxBa1-xNb2O6 / В. В. Федоровых, E. А. Колчина, В. Я. Шур, Д. В. Пелегов, М. М. Нерадовский, В. А. Шихова, Л. И. Ивлева, J. Dec // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов III Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 16–20 мая 2016 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2016. — C. 192-193. | en |
| dc.identifier.uri | http://elar.urfu.ru/handle/10995/99147 | - |
| dc.description.abstract | The evolution of domain structure has been studied in single crystal of uniaxial relaxor ferroelectrics x 1 x 2 6 Sr Ba Nb O . We report the investigation of spontaneous backswitching (“flip-back”) after abrupt removing of the applied field in single crystal by analysis of the switching current and by visualization of domain structures on polar and nonpolar crystal cuts. | en |
| dc.description.sponsorship | В работе было использовано оборудование Уральского центра коллективного пользования "Современные нанотехнологии», УрФУ. Исследование выполнено при поддержке Правительства Российской федерации (постановление № 211, контракт 02.A03.21.0006) и РФФИ (грант 16-02-00821-а). | ru |
| dc.format.mimetype | application/pdf | en |
| dc.language.iso | ru | en |
| dc.publisher | УрФУ | ru |
| dc.relation.ispartof | Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2016). — Екатеринбург, 2016 | ru |
| dc.title | Формирование доменной структуры в результате самопроизвольного обратного переключения в монокристаллах релаксорного сегнетоэлектрика SrxBa1-xNb2O6 | ru |
| dc.title.alternative | DOMAIN STRUCTURE FORMATION BY SPONTANEOUS BACKSWITHCING IN SINGLE CRYSTAL RELAXOR FERROELECTRIC SrxBa1-XNb2O6 | en |
| dc.type | Conference Paper | en |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/conferenceObject | en |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
| dc.conference.name | III Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации» | ru |
| dc.conference.date | 16.05.2016-20.05.2016 | - |
| local.description.firstpage | 192 | - |
| local.description.lastpage | 193 | - |
| local.fund.rffi | 16-02-00821 | - |
| Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| fti_2016_110.pdf | 440,14 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.