ISSN: 2310-757X
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/98923| Название: | Наномеханические свойства наноструктурированных систем SiO2/Si |
| Другие названия: | NANOMECHANICAL PROPERTIES OF NANOSTRUCTURED SiO2/Si SYSTEMS |
| Авторы: | Альжанова, А. Е. |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ» |
| Библиографическое описание: | Альжанова А. Е. Наномеханические свойства наноструктурированных систем SiO2/Si / А. Е. Альжанова // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VI Международной молодежной научной конференции, посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ (Екатеринбург, 20–24 мая 2019 г.). — Екатеринбург : ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ», 2019. — C. 49-50. |
| Аннотация: | A layer of silicon dioxide was irradiated with 131Xe (1×109 cm-2, 200 MeV) ions using an ion cyclotron accelerator DC-60 at Astana, Kazakhstan. After irradiation with fast heavy ions in the silicon dioxide layer formed the latent tracks. Tracks - a kind of extended cylinders, about 5-10 nm in size, formed in the fall of fast heavy ions. In this work, the influ-ence of these tracks on the hardness of the irradiated layer of silicon dioxide was studied. |
| URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/98923 |
| Конференция/семинар: | VI Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ |
| Дата конференции/семинара: | 20.05.2019-24.05.2019 |
| ISBN: | 978-5-8295-0640-7 |
| Источники: | Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2019). — Екатеринбург, 2019 |
| Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 978-5-8295-0640-7_2019_009.pdf | 336,42 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.