Наномеханические свойства наноструктурированных систем SiO2/Si

Альжанова, А. Е.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/98923

Title:	Наномеханические свойства наноструктурированных систем SiO2/Si
Other Titles:	NANOMECHANICAL PROPERTIES OF NANOSTRUCTURED SiO2/Si SYSTEMS
Authors:	Альжанова, А. Е.
Issue Date:	2019
Publisher:	ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ»
Citation:	Альжанова А. Е. Наномеханические свойства наноструктурированных систем SiO2/Si / А. Е. Альжанова // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VI Международной молодежной научной конференции, посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ (Екатеринбург, 20–24 мая 2019 г.). — Екатеринбург : ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ», 2019. — C. 49-50.
Abstract:	A layer of silicon dioxide was irradiated with 131Xe (1×109 cm-2, 200 MeV) ions using an ion cyclotron accelerator DC-60 at Astana, Kazakhstan. After irradiation with fast heavy ions in the silicon dioxide layer formed the latent tracks. Tracks - a kind of extended cylinders, about 5-10 nm in size, formed in the fall of fast heavy ions. In this work, the influ-ence of these tracks on the hardness of the irradiated layer of silicon dioxide was studied.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/98923
Conference name:	VI Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ
Conference date:	20.05.2019-24.05.2019
ISBN:	978-5-8295-0640-7
Origin:	Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2019). — Екатеринбург, 2019
Appears in Collections:	Конференции, семинары

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
978-5-8295-0640-7_2019_009.pdf		336,42 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar