Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10995/98435
Title: Получение и исследование гетероструктур GaP/Si для фотоэлектрических преобразователей
Other Titles: OBTAINING AND RESEARCH OF HETEROSTRUCTURES GaP/Si FOR PHOTOELECTRIC CONVERTERS
Authors: Девицкий, О. В.
Сысоев, И. А.
Осипян, В. Б.
Issue Date: 2019
Publisher: ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ»
Citation: Девицкий О. В. Получение и исследование гетероструктур GaP/Si для фотоэлектрических преобразователей / О. В. Девицкий, И. А. Сысоев, В. Б. Осипян // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VI Международной молодежной научной конференции, посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ (Екатеринбург, 20–24 мая 2019 г.). — Екатеринбург : ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ», 2019. — C. 79-80.
Abstract: Heterostructures GaP/Si for photoelectric converters operating in a wide range of lengths are obtained by the method of pulsed laser sputtering and their structural properties are investigated. Using the AFORS-HET software, the electrical properties of n-GaP/p-Si solar cells were simulated, and the optimum thickness and doping level of the n-GaP layer was established.
URI: http://hdl.handle.net/10995/98435
Conference name: VI Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ
Conference date: 20.05.2019-24.05.2019
ISBN: 978-5-8295-0640-7
Origin: Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2019). — Екатеринбург, 2019
Appears in Collections:Конференции, семинары

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
978-5-8295-0640-7_2019_028.pdf202,74 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.