Получение и исследование гетероструктур GaP/Si для фотоэлектрических преобразователей

Девицкий, О. В.; Сысоев, И. А.; Осипян, В. Б.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/98435

Title:	Получение и исследование гетероструктур GaP/Si для фотоэлектрических преобразователей
Other Titles:	OBTAINING AND RESEARCH OF HETEROSTRUCTURES GaP/Si FOR PHOTOELECTRIC CONVERTERS
Authors:	Девицкий, О. В. Сысоев, И. А. Осипян, В. Б.
Issue Date:	2019
Publisher:	ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ»
Citation:	Девицкий О. В. Получение и исследование гетероструктур GaP/Si для фотоэлектрических преобразователей / О. В. Девицкий, И. А. Сысоев, В. Б. Осипян // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VI Международной молодежной научной конференции, посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ (Екатеринбург, 20–24 мая 2019 г.). — Екатеринбург : ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ», 2019. — C. 79-80.
Abstract:	Heterostructures GaP/Si for photoelectric converters operating in a wide range of lengths are obtained by the method of pulsed laser sputtering and their structural properties are investigated. Using the AFORS-HET software, the electrical properties of n-GaP/p-Si solar cells were simulated, and the optimum thickness and doping level of the n-GaP layer was established.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/98435
Conference name:	VI Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ
Conference date:	20.05.2019-24.05.2019
ISBN:	978-5-8295-0640-7
Origin:	Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2019). — Екатеринбург, 2019
Appears in Collections:	Конференции, семинары

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
978-5-8295-0640-7_2019_028.pdf		202,74 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar