Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/80679
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorKots, I. N.en
dc.contributor.authorKlimin, V. S.en
dc.contributor.authorRezvan, A. A.en
dc.contributor.authorPolyakova, V. V.en
dc.contributor.authorAgeev, O. A.en
dc.date.accessioned2020-03-24T06:59:16Z-
dc.date.available2020-03-24T06:59:16Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationMasking layer formation on silicon substrate by the focused ion beams method for plasma-chemical treatment / I. N. Kots, V. S. Klimin, A. A. Rezvan, V. V. Polyakova, O. A. Ageev // Scanning Probe Microscopy. Abstract Book of International Conference (Ekaterinburg, August 25-28, 2019). — Ekaterinburg, Ural Federal University, 2018. — p. 146-147.en
dc.identifier.isbn978-5-9500624-1-4-
dc.identifier.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/80679-
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoenen
dc.publisherUral Federal Universityen
dc.relation.ispartofInternational Conference "Scanning Probe Microscopy" ; International Workshop "Modern Nanotechnologies" ; International Youth Conference "Functional Imaging of Nanomaterials". — Ekaterinburg, 2018en
dc.titleMasking layer formation on silicon substrate by the focused ion beams method for plasma-chemical treatmenten
dc.typeConference Paperen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjecten
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
dc.conference.nameInternational Conference "Scanning Probe Microscopy" ; International Workshop "Modern Nanotechnologies" ; International Youth Conference "Functional Imaging of Nanomaterials"en
dc.conference.date26.08.2018-29.08.2018-
local.description.firstpage146-
local.description.lastpage147-
local.description.orderP-44-
Располагается в коллекциях:Scanning Probe Microscopy

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
978-5-9500624-1-4_2018_103.pdf251,31 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.