Erratum to: Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures (Semiconductors, (2018), 52, 12, (1551-1558), 10.1134/S1063782618120102)

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/75701

Название:	Erratum to: Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures (Semiconductors, (2018), 52, 12, (1551-1558), 10.1134/S1063782618120102)
Авторы:	Gudina, S. V. Arapov, Y. G. Ilchenko, E. V. Neverov, V. N. Savelyev, A. P. Podgornykh, S. M. Shelushinina, N. G. Yakunin, M. V. Vasil’evskii, I. S. Vinichenko, A. N.
Дата публикации:	2018
Издатель:	Pleiades Publishing
Библиографическое описание:	Erratum to: Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures (Semiconductors, (2018), 52, 12, (1551-1558), 10.1134/S1063782618120102) / S. V. Gudina, Y. G. Arapov, E. V. Ilchenko et al. // Semiconductors. — 2018. — Vol. 52. — Iss. 15. — P. 1989.
Аннотация:	The name of the third author should read E. V. Ilchenko. © 2018, Pleiades Publishing, Ltd.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/75701
Условия доступа:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Идентификатор РИНЦ:	38673329
Идентификатор SCOPUS:	85060866454
Идентификатор WOS:	000457227800016
Идентификатор PURE:	8876280
ISSN:	1063-7826
DOI:	10.1134/S1063782618150174
Располагается в коллекциях:	Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:

Файл	Описание	Размер	Формат
10.1134-s1063782618150174.pdf		44,78 kB	Adobe PDF	Просмотреть/Открыть

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.