Erratum to: Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures (Semiconductors, (2018), 52, 12, (1551-1558), 10.1134/S1063782618120102)

Gudina, S. V.; Arapov, Y. G.; Ilchenko, E. V.; Neverov, V. N.; Savelyev, A. P.; Podgornykh, S. M.; Shelushinina, N. G.; Yakunin, M. V.; Vasil’evskii, I. S.; Vinichenko, A. N.

doi:10.1134/S1063782618150174

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/75701

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Gudina, S. V.	en
dc.contributor.author	Arapov, Y. G.	en
dc.contributor.author	Ilchenko, E. V.	en
dc.contributor.author	Neverov, V. N.	en
dc.contributor.author	Savelyev, A. P.	en
dc.contributor.author	Podgornykh, S. M.	en
dc.contributor.author	Shelushinina, N. G.	en
dc.contributor.author	Yakunin, M. V.	en
dc.contributor.author	Vasil’evskii, I. S.	en
dc.contributor.author	Vinichenko, A. N.	en
dc.date.accessioned	2019-07-22T06:48:16Z	-
dc.date.available	2019-07-22T06:48:16Z	-
dc.date.issued	2018	-
dc.identifier.citation	Erratum to: Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures (Semiconductors, (2018), 52, 12, (1551-1558), 10.1134/S1063782618120102) / S. V. Gudina, Y. G. Arapov, E. V. Ilchenko et al. // Semiconductors. — 2018. — Vol. 52. — Iss. 15. — P. 1989.	en
dc.identifier.issn	1063-7826	-
dc.identifier.other	https://link.springer.com/content/pdf/10.1134%2FS1063782618150174.pdf	pdf
dc.identifier.other	1	good_DOI
dc.identifier.other	6efd6ff1-f04d-46d5-83b1-f593cf93acae	pure_uuid
dc.identifier.other	http://www.scopus.com/inward/record.url?partnerID=8YFLogxK&scp=85060866454	m
dc.identifier.uri	http://elar.urfu.ru/handle/10995/75701	-
dc.description.abstract	The name of the third author should read E. V. Ilchenko. © 2018, Pleiades Publishing, Ltd.	en
dc.format.mimetype	application/pdf	en
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	Pleiades Publishing	en
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	en
dc.source	Semiconductors	en
dc.title	Erratum to: Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures (Semiconductors, (2018), 52, 12, (1551-1558), 10.1134/S1063782618120102)	en
dc.type	Erratum	en
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion	en
dc.identifier.rsi	38673329	-
dc.identifier.doi	10.1134/S1063782618150174	-
dc.identifier.scopus	85060866454	-
local.affiliation	Miheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, 620108, Russian Federation	en
local.affiliation	Yeltsin Ural Federal University, Yekaterinburg, 620002, Russian Federation	en
local.affiliation	National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, 115409, Russian Federation	en
local.contributor.employee	Подгорных Сергей Михайлович	ru
local.contributor.employee	Якунин Михаил Викторович	ru
local.description.firstpage	1989	-
local.issue	15	-
local.volume	52	-
dc.identifier.wos	000457227800016	-
local.identifier.pure	8876280	-
local.identifier.eid	2-s2.0-85060866454	-
local.identifier.wos	WOS:000457227800016	-
Располагается в коллекциях:	Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:

Файл	Описание	Размер	Формат
10.1134-s1063782618150174.pdf		44,78 kB	Adobe PDF	Просмотреть/Открыть

Показать базовое описание ресурса Статистика

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.