Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/63276
Название: Dielectric Permittivity Enhancement by Charged Domain Walls Formation in Stoichiometric Lithium Niobate
Авторы: Esin, A. A.
Akhmatkhanov, A. R.
Shur, V. Ya.
Шур, В. Я.
Дата публикации: 2016
Издатель: Knowledge E
Библиографическое описание: Esin A. A. Dielectric Permittivity Enhancement by Charged Domain Walls Formation in Stoichiometric Lithium Niobate / A. A. Esin, A. R. Akhmatkhanov, V. Ya. Shur // ASRTU Conference Proceedings : IV Sino-Russian ASRTU Symposium on Advanced Materials and Processing Technology (Ekaterinburg, Russia, 23–26 June 2016). — Dubai : Knowledge E, 2016. — pp. 57-63. — DOI: 10.18502/kms.v1i1.563
Аннотация: We present an experimental study of contribution of charged domain walls into dielectric permittivity of lithium niobate. It has been shown that formation of dense structure with spike-like domains leads to order of magnitude increase of permittivity, which gradually decreases with time. The decrease rate accelerates under DC bias. Dielectric permittivity decreases linearly with a logarithm of frequency. The obtained results were explained considering vibration of the steps on the charged domain walls.
Ключевые слова: DIELECTRIC RELAXATION
FERROELECTRICS
DOMAIN STRUCTURE
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/63276
Конференция/семинар: IV Sino-Russian ASRTU Symposium on Advanced Materials and Processing Technology
Дата конференции/семинара: 23.06.2016-26.06.2016
Идентификатор WOS: WOS:000395106000011
ISSN: 2519-1438
DOI: 10.18502/kms.v1i1.563
Сведения о поддержке: The equipment of the Ural Center for Shared Use “Modern Nanotechnology” at UrFU was used. The research was made possible by government of the Russian Federation (Act 211, Agreement 02.A03.21.0006).
Источники: IV Sino-Russian ASRTU Symposium on Advanced Materials and Processing Technology. — Ekaterinburg, 2016
Располагается в коллекциях:АТУРК

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
kms.v1i1.563.pdf2 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.