Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/51440
Название: | Domain kinetics in lithium niobate single crystals with photoresist dielectric layer |
Авторы: | Akhmatkhanov, A. R. Shur, V. Ya. Baturin, I. S. Zorikhin, D. V. Lukmanova, A. M. Zelenovskiy, P. S. Neradovskiy, M. M. Шур, В. Я. |
Дата публикации: | 2012 |
Издатель: | Ferroelectrics |
Библиографическое описание: | Domain kinetics in lithium niobate single crystals with photoresist dielectric layer / A. R. Akhmatkhanov, V. Ya. Shur, I. S. Baturin, D. V. Zorikhin, A. M. Lukmanova, P. S. Zelenovskiy, M. M. Neradovskiy // Ferroelectrics. — 2012. — Vol. 439. — № 1. — P. 3-12. |
Аннотация: | The influence of the artificial surface layer (photoresist film) on the domain kinetics was studied in congruent lithium niobate single crystals. The switching current data wasfitted by modified Kolmogorov-Avrami formula. The qualitative change of the domain structure evolution for photoresist film thickness above 2 μm was revealed by in situ optical visualization and analysis of the switching current data. The linear dependence of the threshold field increase on the film thickness was found. The quasi-regular nanodomain structures on Z+ polar surface were studied by scanning probe and Raman confocal microscopy and the domain evolution scenario was revealed. Copyright © Taylor & Francis Group, LLC. |
Ключевые слова: | FERROELECTRICS NANODOMAINS SURFACE DIELECTRIC LAYER |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/51440 |
Условия доступа: | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess |
Идентификатор SCOPUS: | 84875905638 |
Идентификатор WOS: | 000312703800002 |
Идентификатор PURE: | 1066698 |
ISSN: | 0015-0193 |
DOI: | 10.1080/00150193.2012.743369 |
Располагается в коллекциях: | Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
10.108000150193.2012.743369_2012.pdf | 651,33 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.