Атомно-эмиссионное определение примесей в трихлорсилане и четырёххлористом кремнии

Abstract

Рассмотрена аттестованная методика определения в трихлорсилане и четыреххлористом кремнии массовых долей 22 элементов-примесей после их концентрирования на графитовый порошок. Описаны методические приёмы и условия выполнения атомно-эмиссионного анализа концентратов на спектральном оборудовании с фотодиодными линейками МАЭС. Оценены показатели прецизионности (повторяемости и правильности) результатов. Достоинствами разработки является высокая информативность получаемых аналитических данных и экспрессность измерений.

The technique of atomic-emission determination of mass content of 22 impurities in trichlorosilane and silicon tetrachloride after their concentration on graphite powder was suggested and certified. The methodical ways and conditions of executing atomic-emission analysis of concentrates by spectral equipments with MAES photodiode arrays were described. Precision (trueness and repeatability) indexes were estimated. The highest informative analytical data obtained and rapidity of determinations are the benefits of this developing.