Фазозарождение кремния на стеклоуглероде в расплаве KF-KCl-K2SiF6

Abstract

Silicon nucleation process was invesigated in melt KF-KCl-K2SiF6 on glassy carbon substrates at 675 ºС by chronoamperometric method. Using data of the chronoamperograms the linear dependence I – τ3/2 was constructed. That fact testified the progressive nucleation mode of silicon. As seem from SEM micrographs silicon crystals obtained by a single pulse had different sizes, that also confirmed the progressive nucletion mode.

Методом хроноамперометрии изучено зарождение кремния на стеклоуглеродной подложке в расплаве KF-KCl-K2SiF6 при температуре 675 ºС. Выявлено прогрессивное фазозарождение кремния. Из SEM-микрофотографий зародышей кремния, выращенных на стеклоуглеродной подложке в потенциостатическом режиме в интервале потенциалов от –0.005 до –0.03 В в расплаве KF-KCl-K2SiF6 при Т = 675 ºС, видно, что в условиях одного эксперимента они имеют размеры, различающиеся в несколько раз, что подтверждает прогрессирующий характер возникновения зародышей кремния. Показано, что когда к рабочему электроду при прочих равных условиях прикладывается более отрицательное значение потенциала относительно кремниевого электрода сравнения, то количество сформировавшихся зародышей на поверхности электрода растет.