Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/27539
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorGermanenko, A. V.en
dc.contributor.authorMinkov, G. M.en
dc.contributor.authorRut, O. E.en
dc.contributor.authorSherstobitov, A. A.en
dc.contributor.authorDvoretsky, S. A.en
dc.contributor.authorMikhailov, N. N.en
dc.date.accessioned2014-11-29T19:47:59Z-
dc.date.available2014-11-29T19:47:59Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationTwo-dimensional semimetal in wide HgTe quantum wells: Charge-carrier energy spectrum and magnetotransport / A. V. Germanenko, G. M. Minkov, O. E. Rut [et al.] // Semiconductors. — 2013. — Vol. 47. — № 12. — P. 1562-1566.en
dc.identifier.issn1063-7826-
dc.identifier.other1good_DOI
dc.identifier.othercd4c7840-045a-4103-ab5c-3a112a81f391pure_uuid
dc.identifier.otherhttp://www.scopus.com/inward/record.url?partnerID=8YFLogxK&scp=84890107349m
dc.identifier.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/27539-
dc.description.abstractThe magnetoresistivity and the Hall and Shubnikov-de Haas effects in heterostructures with a single 20.2-nm-wide quantum well made from the gapless semiconductor HgTe are studied experimentally. The measurements are performed on gated samples over a wide range of electron and hole densities. The data obtained are used to reconstruct the energy spectrum of electrons and holes in the vicinity of the extrema of the quantum-confinement subbands. It is shown that the charge-carrier dispersion relation in the investigated systems differs from that calculated within the framework of the conventional kp model. © 2013 Pleiades Publishing, Ltd.en
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoenen
dc.sourceSemiconductorsen
dc.titleTwo-dimensional semimetal in wide HgTe quantum wells: Charge-carrier energy spectrum and magnetotransporten
dc.typeArticleen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articleen
dc.identifier.doi10.1134/S1063782613120063-
dc.identifier.scopus84890107349-
local.affiliationInstitute of Natural Sciences, Ural Federal University, Yekaterinburg, 620000, Russian Federationen
local.affiliationInstitute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, 620990, Russian Federationen
local.affiliationInstitute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, 630090, Russian Federationen
local.contributor.employeeГерманенко Александр Викторовичru
local.contributor.employeeМиньков Григорий Максовичru
local.contributor.employeeРут Ольга Эдуардовнаru
local.contributor.employeeШерстобитов Андрей Александровичru
dc.identifier.wos000328260100004-
local.contributor.departmentИнститут естественных наук и математикиru
local.identifier.pure841259-
local.identifier.eid2-s2.0-84890107349-
local.identifier.wosWOS:000328260100004-
Располагается в коллекциях:Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
scopus-2013-0683.pdf259,16 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.