Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/131347
Название: Effect of Cu Intercalation Layer on the Enhancement of Spin-to-Charge Conversion in Py/Cu/Bi2Se3
Авторы: Su, S. H.
Chong, C. -W.
Lee, J. -C.
Chen, Y. -C.
Marchenkov, V. V.
Huang, J. -C. A.
Дата публикации: 2022
Издатель: MDPI
Библиографическое описание: Su, SH, Chong, CW, Lee, JC, Chen, YC, Marchenkov, VV & Huang, JCA 2022, 'Effect of Cu Intercalation Layer on the Enhancement of Spin-to-Charge Conversion in Py/Cu/Bi2Se3', Nanomaterials, Том. 12, № 20, 3687. https://doi.org/10.3390/nano12203687
Su, S. H., Chong, C. W., Lee, J. C., Chen, Y. C., Marchenkov, V. V., & Huang, J. C. A. (2022). Effect of Cu Intercalation Layer on the Enhancement of Spin-to-Charge Conversion in Py/Cu/Bi2Se3. Nanomaterials, 12(20), [3687]. https://doi.org/10.3390/nano12203687
Аннотация: The spin-to-charge conversion in Permalloy (Py)/Cu/Bi2Se3 is tunable by changing the Cu layer thickness. The conversion rate was studied using the spin pumping technique. The inverse Edelstein effect (IEE) length λIEE is found to increase up to ~2.7 nm when a 7 nm Cu layer is introduced. Interestingly, the maximized λIEE is obtained when the effective spin-mixing conductance (and thus Js) is decreased due to Cu insertion. The monotonic increase in λIEE with decreasing Js suggests that the IEE relaxation time (τ) is enhanced due to the additional tunnelling barrier (Cu layer) that limits the interfacial transmission rate. The results demonstrate the importance of interface engineering in the magnetic heterostructure of Py/topological insulators (TIs), the key factor in optimizing spin-to-charge conversion efficiency. © 2022 by the authors.
Ключевые слова: INVERSE EDELSTEIN EFFECT
SPIN PUMPING
SPIN-TO-CHARGE CONVERSION
TOPOLOGICAL INSULATOR
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/131347
Условия доступа: info:eu-repo/semantics/openAccess
cc-by
Текст лицензии: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Идентификатор SCOPUS: 85140915311
Идентификатор WOS: 000875166600001
Идентификатор PURE: 31570227
76b8e06a-d511-4d74-be9c-c7783743729e
ISSN: 2079-4991
DOI: 10.3390/nano12203687
Сведения о поддержке: Ministry of Science and Technology, Taiwan, MOST, (109-2112-M-006-019-MY3, 110-2124-M-006-008, 111-2124-M-006-008)
We would like to acknowledge the financial support from the Taiwan Ministry of Science and Technology under contracts MOST Grants No. 111-2124-M-006-008, 110-2124-M-006-008, and 109-2112-M-006-019-MY3.
Располагается в коллекциях:Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2-s2.0-85140915311.pdf1,57 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Лицензия на ресурс: Лицензия Creative Commons Creative Commons