Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/130040
Title: Моделирование электролитической ванны нанесения многослойных экранирующих покрытий
Authors: Долматова, Е. А.
Даянов, А. Д.
Останина, Т. Н.
Issue Date: 2014
Publisher: Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина
Citation: Долматова Е. А. Моделирование электролитической ванны нанесения многослойных экранирующих покрытий / Е. А. Долматова, А. Д. Даянов, Т. Н. Останина. — Текст: непосредственный // Химия в федеральных университетах : cборник статей материалов II научно-технической конференции магистрантов и аспирантов ведущих университетов России, 4-8 ноября 2014 года. — Екатеринбург: УрФУ, 2014. — С. 70-72.
Abstract: В работе проведен расчет гальванической ванны формирования многослойных экранирующих покрытий Cu/(Ni+Cu) из ацетатного электролита, содержащего 0,03 моль/л СuАс2, 0,3 моль/л NiAc2 и 1,66 моль/л уксусной кислоты. По результатам поляризационных исследований выбраны значения плотностей тока импульсного режима нанесения покрытий и определен выход по току меди и никеля в период осаждения сплава Cu-Ni. Для обеспечения постоянного состава электролита предложено использовать нерастворимые аноды из нержавеющей стали и непрерывную циркуляцию электролита. Разработана схема потоков, позволяющая проводить корректировку состава раствора с использованием дополнительной сборной емкости. Рассчитан состав корректирующего потока, непрерывно подаваемого в сборную емкость.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/130040
Conference name: II научно-техническая конференция магистрантов и аспирантов ведущих университетов России «Химия в федеральных университетах»
Conference date: 04.11.2004-08.11.2014
Origin: Химия в федеральных университетах : cборник статей материалов конференции. — Екатеринбург, 2014
Appears in Collections:Конференции, семинары

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
cfu-2014-21.pdf939,3 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.