TEMPERATURE BEHAVIOR OF THE ABSORPTION EDGE IN BI-IMPLANTED HONGAN SILICA GLASS

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/123857

Title:	TEMPERATURE BEHAVIOR OF THE ABSORPTION EDGE IN BI-IMPLANTED HONGAN SILICA GLASS
Authors:	Koubisy, M. S. I. Zatsepin, A. F. Biryukov, D. Yu. Shtang, T. V. Mamonov, A. P. Gavrilov, N. V.
Issue Date:	2021
Publisher:	УрФУ
Citation:	TEMPERATURE BEHAVIOR OF THE ABSORPTION EDGE IN BI-IMPLANTED HONGAN SILICA GLASS / M. S. I. Koubisy, A. F. Zatsepin, D. Yu. Biryukov, T. V. Shtang, A. P. Mamonov, N. V. Gavrilov // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VIII Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 17–21 мая 2021 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2021. — C. 257-258.
Abstract:	The effect of thermal and structural disorder on the electronic structure of glass silicon dioxide (Hongan Silica Glass) irradiated with 30 KeV bismuth ions Φ = 1× 1017 cm-2 is in-vestigated by the McPherson VuVAS 1000PL VUV spectrometer in the 120-500 nm wave-length range.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/123857
Conference name:	VIII Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации»
Conference date:	17.05.2021-21.05.2021
ISBN:	978-5-8295-0769-5
Origin:	Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2021)
Appears in Collections:	Конференции, семинары

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
978-5-8295-0769-5_2021_117.pdf		250,17 kB	Adobe PDF	View/Open