Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/123857
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorKoubisy, M. S. I.en
dc.contributor.authorZatsepin, A. F.en
dc.contributor.authorBiryukov, D. Yu.en
dc.contributor.authorShtang, T. V.en
dc.contributor.authorMamonov, A. P.en
dc.contributor.authorGavrilov, N. V.en
dc.date.accessioned2023-08-28T09:15:52Z-
dc.date.available2023-08-28T09:15:52Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.citationTEMPERATURE BEHAVIOR OF THE ABSORPTION EDGE IN BI-IMPLANTED HONGAN SILICA GLASS / M. S. I. Koubisy, A. F. Zatsepin, D. Yu. Biryukov, T. V. Shtang, A. P. Mamonov, N. V. Gavrilov // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VIII Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 17–21 мая 2021 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2021. — C. 257-258.ru
dc.identifier.isbn978-5-8295-0769-5
dc.identifier.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/123857-
dc.description.abstractThe effect of thermal and structural disorder on the electronic structure of glass silicon dioxide (Hongan Silica Glass) irradiated with 30 KeV bismuth ions Φ = 1× 1017 cm-2 is in-vestigated by the McPherson VuVAS 1000PL VUV spectrometer in the 120-500 nm wave-length range.en
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoen
dc.publisherУрФУ
dc.relation.ispartofФизика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2021)
dc.titleTEMPERATURE BEHAVIOR OF THE ABSORPTION EDGE IN BI-IMPLANTED HONGAN SILICA GLASSen
dc.typeConference Paperen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjecten
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/submittedVersionen
dc.conference.nameVIII Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации»
dc.conference.date17.05.2021-21.05.2021
local.description.firstpage257
local.description.lastpage258
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
978-5-8295-0769-5_2021_117.pdf250,17 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.