ISSN: 2310-757X
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/123857| Название: | TEMPERATURE BEHAVIOR OF THE ABSORPTION EDGE IN BI-IMPLANTED HONGAN SILICA GLASS |
| Авторы: | Koubisy, M. S. I. Zatsepin, A. F. Biryukov, D. Yu. Shtang, T. V. Mamonov, A. P. Gavrilov, N. V. |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | УрФУ |
| Библиографическое описание: | TEMPERATURE BEHAVIOR OF THE ABSORPTION EDGE IN BI-IMPLANTED HONGAN SILICA GLASS / M. S. I. Koubisy, A. F. Zatsepin, D. Yu. Biryukov, T. V. Shtang, A. P. Mamonov, N. V. Gavrilov // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VIII Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 17–21 мая 2021 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2021. — C. 257-258. |
| Аннотация: | The effect of thermal and structural disorder on the electronic structure of glass silicon dioxide (Hongan Silica Glass) irradiated with 30 KeV bismuth ions Φ = 1× 1017 cm-2 is in-vestigated by the McPherson VuVAS 1000PL VUV spectrometer in the 120-500 nm wave-length range. |
| URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/123857 |
| Конференция/семинар: | VIII Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации» |
| Дата конференции/семинара: | 17.05.2021-21.05.2021 |
| ISBN: | 978-5-8295-0769-5 |
| Источники: | Физика. Технологии. Инновации. Тезисы докладов (ФТИ-2021) |
| Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 978-5-8295-0769-5_2021_117.pdf | 250,17 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.