Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/111981
Название: | Characterization of Excessive Sm3+containing Barium Titanate Prepared by Tartrate Precursor Method |
Авторы: | Henaish, A. M. A. Hemeda, O. M. Dorgham, A. M. Hamad, M. A. |
Дата публикации: | 2020 |
Издатель: | Elsevier Editora Ltda Elsevier BV |
Библиографическое описание: | Characterization of Excessive Sm3+containing Barium Titanate Prepared by Tartrate Precursor Method / A. M. A. Henaish, O. M. Hemeda, A. M. Dorgham et al. // Journal of Materials Research and Technology. — 2020. — Vol. 9. — Iss. 6. — P. 15214-15221. |
Аннотация: | The [Formula presented](BST) samples, where (x = zero, 0.05, 0.1, 0.15, 0.2 and 0.3), have been successfully synthesized by tartrate precursor method at annealing temperature of 600°C under atmospheric pressure. The results revealed that the Sm content causes a decrease in both tetragonality and average grain size of BST samples. The electrical resistivity of BST samples is improved by low Sm content, reaching maximum value at x = 0.15 and then decreases with higher Sm content, suggesting that the conduction has two types of polaron hoping and semiconductor band conduction mechanisms at low and at high temperature ranges, respectively. It is demonstrated that the majority of charge carriers are p-type. The dielectric properties varies nonmonotonically with samarium content, showing strongly enhancement in dielectric constant for high Sm doping samples. It is recommended that BST samples are attractive for capacitor and energy storage applications. © 2020 The Author(s). |
Ключевые слова: | DC CONDUCTIVITY DIELECTRIC CONSTANT SEEBECK COEFFICIENT SM-DOPED BATIO3 BARIUM TITANATE DIELECTRIC PROPERTIES SAMARIUM SAMARIUM COMPOUNDS SEMICONDUCTOR DOPING ANNEALING TEMPERATURES AVERAGE GRAIN SIZE BAND CONDUCTION MECHANISM DC CONDUCTIVITY HIGH TEMPERATURE RANGE P-TYPE PRECURSOR METHOD SM-DOPED BATIO3 SYNTHESISED TETRAGONALITY ATMOSPHERIC PRESSURE |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/111981 |
Условия доступа: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Идентификатор SCOPUS: | 85116327189 |
Идентификатор WOS: | 000606428400002 |
Идентификатор PURE: | 20907332 |
ISSN: | 2238-7854 |
DOI: | 10.1016/j.jmrt.2020.10.015 |
Сведения о поддержке: | This project was supported financially by the Academy of Scientific Research and Technology (ASRT) Egypt, Grant No. 6550 . ASRT is the 2nd affiliation of this research. |
Располагается в коллекциях: | Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
2-s2.0-85116327189.pdf | 2,48 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.