ISSN: 2310-757X
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/111491| Название: | Hole-hole Interaction in a Strained InxGa1-xAs Two-dimensional System |
| Авторы: | Minkov, G. M. Sherstobitov, A. A. Germanenko, A. V. Rut, O. E. Larionova, V. A. Zvonkov, B. N. |
| Дата публикации: | 2005 |
| Издатель: | American Physical Society (APS) |
| Библиографическое описание: | Hole-hole Interaction in a Strained InxGa1-xAs Two-dimensional System / G. M. Minkov, A. A. Sherstobitov, A. V. Germanenko et al. // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. — 2005. — Vol. 72. — Iss. 16. — 165325. |
| Аннотация: | The interaction correction to the conductivity of 2D hole gas in strained GaAs InxGa1-xAs GaAs quantum well structures was studied. It is shown that the Zeeman splitting, spin relaxation, and ballistic contribution should be taken into account for reliable determination of the Fermi-liquid constant F0σ. The proper consideration of these effects allows us to describe both the temperature and magnetic field dependences of the conductivity and to find the value of F0σ. © 2005 The American Physical Society. |
| URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/111491 |
| Условия доступа: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Идентификатор SCOPUS: | 29644442258 |
| Идентификатор WOS: | 000232934900074 |
| Идентификатор PURE: | 8532314 |
| ISSN: | 1098-0121 |
| Сведения о поддержке: | We thank Igor Gornyi for useful discussion. This work was supported in part by the RFBR (Grant Nos. 03-02-16150, 04-02-16626, and 05-02-16413), the CRDF (Grant Nos. EK-005-X1 and Y1-P-05-11), the INTAS (Grant No. 1B290), and the Russian Program Physics of Solid State Nanostructures. |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 2-s2.0-29644442258.pdf | 328,3 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.