Исследование формирования планарных слоев гетерофазных систем CdS - PbS с помощью Ntegra Spectra

Abstract

Повышение радиационной стойкости широкозонного полупроводника CdS достигается путем добавления узкозонных или металлических наноразмерных включений. В данной работе проведены АСМ и СКЗМ исследования гетерофазных структур CdS -PbS, полученных методами термического испарения в вакууме и Ленгмюра-Блоджетт.

Radiation hardness of a wide-gap semiconductor CdS increases by the addition of narrow-gap or metall nanodimensional components. In this work we analyze investigations of atomic force microscope and Kelvin probe force microscopy of heterophase structures CdS -PbS obtained by thermal evaporation and Langmuir-Blodgett technology.