Определение эффективности иммобилизации глюкозооксидазы на полупроводниковый трансдьюсер методами сканирующей зондовой микроскопии

Abstract

В работе исследовались монослои глюкозооксидазы (GOx) на поверхности гибридных структур Si/SiO2/полиэтиленимин методом атомно-силовой микроскопии (АСМ). При помощи АСМ удалось определить влияние освещения и типа проводимости Si на поверхностную концентрацию иммобилизованных молекул GOx (NGOx).

The glucose oxidase (GOx) monolayer on the surface of Si/SiO2/polyethyleneimine hybrid structures was studied by atomic force microscopy (AFM). Using AFM, the influence of illumination and a silicon substrate conductivity type on the surface concentration of immobilized GOx molecules (NGOx) was determined.