Зондовая нанолитография элемента резистивной памяти на основе мемристорных структур из оксида титана

Abstract

В работе представлены результаты формирования макета элемента резистивной памяти на основе мемристорных структур из оксида титана с использованием зондовой нанолитографии методом локального анодного окисления, которые проявляют мемристорный эффект без проведения дополнительной операции электроформовки.

The paper presents the results of the formation of the resistive memory element model on the basis of the memristor structures of titanium oxide using probe nanolithography by the local anodic oxidation, which exhibit a memristor effect without carrying out an additional electroforming operation.