Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/102265
Название: | Pleomorphic structural imperfections caused by pulsed Bi-implantation in the bulk and thin-film morphologies of TiO 2 |
Авторы: | Zatsepin, D. A. Boukhvalov, D. W. Kurmaev, E. Z. Gavrilov, N. V. Kim, S. S. Zhidkov, I. S. |
Дата публикации: | 2016 |
Издатель: | Elsevier B.V. |
Библиографическое описание: | Pleomorphic structural imperfections caused by pulsed Bi-implantation in the bulk and thin-film morphologies of TiO 2 / D. A. Zatsepin, D. W. Boukhvalov, E. Z. Kurmaev, et al. — DOI 10.1016/j.apsusc.2016.04.045 // Applied Surface Science. — 2016. — Vol. 379. — P. 223-229. |
Аннотация: | The results of combined experimental and theoretical study of pleomorphic substitutional and clustering effects in Bi-doped TiO 2 hosts (bulk and thin-film morphologies) are presented. Bi-doping of the bulk and thin-film titanium dioxide was made with help of pulsed ion-implantation (E Bi + = 30 keV, D = 1 × 10 17 cm -2 ) without posterior tempering. The X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) qualification (core-levels and valence bands) and Density-Functional Theory (DFT) calculations were employed in order to study the electronic structure of Bi-ion implanted TiO 2 samples. According to XPS data obtained and DFT calculations, the Bi → Ti cation substitution occurs in Bi-implanted bulk TiO 2 , whereas in the thin-film morphology of TiO 2 :Bi the Bi-atoms have metal-like clusters segregation tendency. Based on the combined XPS and DFT considerations the possible reasons and mechanism for the observed effects are discussed. It is believed that established peculiarities of bismuth embedding into employed TiO 2 hosts are mostly the sequence of pleomorphic origin for the formed "bismuth-oxygen" chemical bonding. © 2016 Elsevier B.V. All rights reserved. |
Ключевые слова: | AGGREGATION BISMUTH OXIDE DFT ION IMPLANTATION TITANIUM DIOXIDE AGGLOMERATION CHEMICAL BONDS DENSITY FUNCTIONAL THEORY ELECTRONIC STRUCTURE ION IMPLANTATION IONS MORPHOLOGY SEMICONDUCTOR DOPING THIN FILMS TITANIUM DIOXIDE TITANIUM OXIDES X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY BISMUTH OXIDES CATION SUBSTITUTIONS CHEMICAL BONDINGS CLUSTERING EFFECT DFT CALCULATION STRUCTURAL IMPERFECTIONS THEORETICAL STUDY THIN FILM MORPHOLOGY BISMUTH COMPOUNDS |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/102265 |
Условия доступа: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Идентификатор SCOPUS: | 84964330406 |
Идентификатор WOS: | 000376819300029 |
Идентификатор PURE: | a28fbde1-3b48-4193-97db-cf6d78512645 797211 |
ISSN: | 1694332 |
DOI: | 10.1016/j.apsusc.2016.04.045 |
Располагается в коллекциях: | Научные публикации ученых УрФУ, проиндексированные в SCOPUS и WoS CC |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
2-s2.0-84964330406.pdf | 416,68 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.