Просмотр коллекции по группе - По автору Neverov, V. N.
Отображение результатов 1 до 8 из 8
Дата публикации | Название | Авторы |
2017 | Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure | Gudina, S. V.; Neverov, V. N.; Novik, E. G.; Ilchenko, E. V.; Harus, G. I.; Shelushinina, N. G.; Podgornykh, S. M.; Yakunin, M. V.; Mikhailov, N. N.; Dvoretsky, S. A. |
2019 | Effect of exchange electron-electron interaction on conductivity of InGaAs single and double quantum wells | Gudina, S. V.; Arapov, Y. G.; Neverov, V. N.; Savelyev, A. P.; Podgornykh, S. M.; Shelushinina, N. G.; Yakunin, M. V. |
2018 | Erratum to: Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures (Semiconductors, (2018), 52, 12, (1551-1558), 10.1134/S1063782618120102) | Gudina, S. V.; Arapov, Y. G.; Ilchenko, E. V.; Neverov, V. N.; Savelyev, A. P.; Podgornykh, S. M.; Shelushinina, N. G.; Yakunin, M. V.; Vasil’evskii, I. S.; Vinichenko, A. N. |
2019 | HgTe quantum wells with inverted band structure: Quantum Hall effect and the large-scale impurity potential | Gudina, S. V.; Arapov, Yu. G.; Neverov, V. N.; Podgornykh, S. M.; Popov, M. R.; Deriushkina, E. V.; Shelushinina, N. G.; Yakunin, M. V.; Mikhailov, N. N.; Dvoretsky, S. A. |
2021 | Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide H gTe quantum well: "extremum loop" model and effects of cubic symmetry | Gudina, S. V.; Bogolubskiy, A. S.; Neverov, V. N.; Turutkin, K. V.; Shelushinina, N. G.; Yakunin, M. V. |
2013 | Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with strongly coupled double quantum wells | Arapov, Y. G.; Gudina, S. V.; Neverov, V. N.; Podgornykh, S. M.; Yakunin, M. V. |
2013 | Tunneling effects in tilted magnetic fields in n-InGaAs/GaAs structures with strongly coupled double quantum wells | Arapov, Y. G.; Gudina, S. V.; Klepikova, A. S.; Neverov, V. N.; Podgornykh, S. M.; Yakunin, M. V.; Zvonkov, B. N. |
2023 | ОБМЕННОЕ УСИЛЕНИЕ G-ФАКТОРА ЭЛЕКТРОНОВ В МЕТАМОРФНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaAs/InAlAs С ВЫСОКИМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs | Sandakov, N. S.; Gudina, S. V.; Neverov, V. N.; Bogoliubskiy, A. S.; Turutkin, K. V.; Yakunin, M. V.; Vasil’evskiy, I. S.; Vinichenko, A. N.; Сандаков, Н. С.; Гудина, С. В.; Неверов, В. Н.; Боголюбский, А. С.; Туруткин, К. В.; Якунин, М. В.; Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н. |