Просмотр коллекции по группе - По автору Moewes, A.

Перейти к: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
или введите несколько первых букв:  
Отображение результатов 1 до 16 из 16
Дата публикацииНазваниеАвторы
2015Adjacent Fe-Vacancy Interactions as the Origin of Room Temperature Ferromagnetism in (In1-xFex)(2)O-3Green, R. J.; Regier, T. Z.; Leedahl, B.; McLeod, J. A.; Xu, X. H.; Chang, G. S.; Kurmaev, E. Z.; Moewes, A.
2017Bulk vs. Surface Structure of 3d Metal Impurities in Topological Insulator Bi2Te3Leedahl, B.; Boukhvalov, D. W.; Kurmaev, E. Z.; Kukharenko, A.; Zhidkov, I. S.; Gavrilov, N. V.; Cholakh, S. O.; Le, P. Huu; Luo, C. Wei; Moewes, A.
2015The characterization of Co-nanoparticles supported on grapheneBazylewski, P.; Boukhvalov, D. W.; Kukharenko, A. I.; Kurmaev, E. Z.; Hunt, A.; Moewes, A.; Lee, Y. H.; Cholakh, S. O.; Chang, G. S.
2010Correlation Effects in Ni3d States of LaNiPOLukoyanov, A. V.; Skornyakov, S. L.; McLeod, J. A.; Abu-Samak, M.; Wilks, R. G.; Kurmaev, E. Z.; Moewes, A.; Skorikov, N. A.; Izyumov, Yu. A.; Finkelstein, L. D.; Anisimov, V. I.; Johrendt, D.
2014Electronic band gap reduction and intense luminescence in Co and Mn ion-implanted SiO2Green, R. J.; Zatsepin, D. A.; St. , Onge, D. J.; Kurmaev, E. Z.; Gavrilov, N. V.; Zatsepin, A. F.; Moewes, A.
2014Electronic structure of poly-3-hexylthiophene (P3HT) thin filmPitman, A. L.; Zhidkov, I. S.; Endo, K.; Kukharenko, A. I.; Kucherov, A. A.; Kurmaev, E. Z.; Moewes, A.; Achilleas, S.; Choulis, S. A.; Cholakh, S. O.
2012Formation of Mn-oxide clusters in Mn +-implanted SiO 2 probed by soft X-ray emission and absorption spectroscopyZatsepin, D. A.; Moewes, A.; Hunt, A.; Gavrilov, N. V.; Kurmaev, E. Z.; Cholakh, S. O.
2013The formation of Ti-O tetrahedra and band gap reduction in SiO2 via pulsed ion implantationGreen, R. J.; Zatsepin, D. A.; Hunt, A.; Kurmaev, E. Z.; Gavrilov, N. V.; Moewes, A.
2019Fundamental crystal field excitations in magnetic semiconductor SnO2: Mn, Fe, Co, NiLeedahl, B.; McCloskey, D. J.; Boukhvalov, D. W.; Zhidkov, I. S.; Kukharenko, A. I.; Kurmaev, E. Z.; Cholakh, S. O.; Gavrilov, N. V.; Brinzari, V. I.; Moewes, A.
2012Interplay of ballistic and chemical effects in the formation of structural defects for Sn and Pb implanted silicaGreen, R. J.; Hunt, A.; Zatsepin, D. A.; Boukhvalov, D. W.; McLeod, J. A.; Kurmaev, E. Z.; Skorikov, N. A.; Gavrilov, N. V.; Moewes, A.
2014Local structure of fe impurity atoms in ZnO: Bulk versus surfaceMcLeod, J. A.; Boukhvalov, D. W.; Zatsepin, D. A.; Green, R. J.; Leedahl, B.; Cui, L.; Kurmaev, E. Z.; Zhidkov, I. S.; Finkelstein, L. D.; Gavrilov, N. V.; Cholakh, S. O.; Moewes, A.
2011Nature of the Electronic States Involved in the Chemical Bonding and Superconductivity at High Pressure in SnOMcLeod, J. A.; Lukoyanov, A. V.; Kurmaev, E. Z.; Finkelstein, L. D.; Moewes, A.
2012Predicting the band gap of ternary oxides containing 3d(10) and 3d(0) metalsMcLeod, J. A.; Moewes, A.; Zatsepin, D. A.; Kurmaev, E. Z.; Wypych, A.; Bobowska, I.; Opasinska, A.; Cholakh, S. O.
2015Pronounced, Reversible, and in Situ Modification of the Electronic Structure of Graphene Oxide via Buckling below 160 KHunt, A.; McDermott, E.; Kurmaev, E. Z.; Moewes, A.
2014Structural defects induced by Fe-ion implantation in TiO2Leedahl, B.; Zatsepin, D. A.; Boukhvalov, D. W.; Green, R. J.; McLeod, J. A.; Kim, S. S.; Kurmaev, E. Z.; Zhidkov, I. S.; Gavrilov, N. V.; Cholakh, S. O.; Moewes, A.
2012Structural ordering in a silica glass matrix under Mn ion implantationZatsepin, D. A.; Green, R. J.; Hunt, A.; Kurmaev, E. Z.; Gavrilov, N. V.; Moewes, A.