Эффект сенсетизации термолюминесценции и туннельная рекомбинация носителей заряда в анион-дефектном оксиде магния

Петров, М. О.; Никифоров, С. В.; Киряков, А. Н.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/99579

Title:	Эффект сенсетизации термолюминесценции и туннельная рекомбинация носителей заряда в анион-дефектном оксиде магния
Other Titles:	SENSITIZATION EFFECT OF THERMALLY STIMULATED LUMINESCENCE AND TUNNELING RECOMBINATION MECHANISM IN ANION-DEFICENT MAGNESIUM OXIDE
Authors:	Петров, М. О. Никифоров, С. В. Киряков, А. Н.
Issue Date:	2016
Publisher:	УрФУ
Citation:	Петров М. О. Эффект сенсетизации термолюминесценции и туннельная рекомбинация носителей заряда в анион-дефектном оксиде магния / М. О. Петров, С. В. Никифоров, А. Н. Киряков // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов III Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 16–20 мая 2016 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2016. — C. 138-140.
Abstract:	Thermoluminescent (TL) properties of nanostructured MgO were studied. Influence of deep trap on main peak TL intensity at 380K was found. TL intensity increases in 9 times after filling of deep traps. The tunneling recombination mechanism was studied in deep trap TL too.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/99579
Conference name:	III Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации»
Conference date:	16.05.2016-20.05.2016
Origin:	Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2016). — Екатеринбург, 2016
Appears in Collections:	Конференции, семинары

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
fti_2016_074.pdf		342,7 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record