Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/99213
Название: Электрические и магнитные свойства системы GdxNbSe2
Другие названия: ELECTRIC AND MAGNETIC PROPERTIES OF GdxNbSe2
Авторы: Симонов, М. Н.
Плещев, В. Г.
Дата публикации: 2016
Издатель: УрФУ
Библиографическое описание: Симонов М. Н. Электрические и магнитные свойства системы GdxNbSe2 / М. Н. Симонов, В. Г. Плещев // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов III Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 16–20 мая 2016 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2016. — C. 274-276.
Аннотация: The layered 2 Gd NbSe x compounds with the Gd content from x=0.1 up to x=0.33 are synthesized by the direct intercalation of Gd into 2 NbSe matrix. The measurements of the dc magnetic susceptibility and magnetization in steady and pulsed magnetic fields have revealed an paramagnetic behavior of 2 Gd NbSe x . The effective magnetic moment per Gd ion in 2 Gd NbSe x is observed to be close to eff  for the free 3 Gd ion.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/99213
Конференция/семинар: III Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации»
Дата конференции/семинара: 16.05.2016-20.05.2016
Источники: Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2016). — Екатеринбург, 2016
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
fti_2016_170.pdf607,15 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.