Электрические и магнитные свойства системы GdxNbSe2

Симонов, М. Н.; Плещев, В. Г.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/99213

Title:	Электрические и магнитные свойства системы GdxNbSe2
Other Titles:	ELECTRIC AND MAGNETIC PROPERTIES OF GdxNbSe2
Authors:	Симонов, М. Н. Плещев, В. Г.
Issue Date:	2016
Publisher:	УрФУ
Citation:	Симонов М. Н. Электрические и магнитные свойства системы GdxNbSe2 / М. Н. Симонов, В. Г. Плещев // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов III Международной молодежной научной конференции (Екатеринбург, 16–20 мая 2016 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2016. — C. 274-276.
Abstract:	The layered 2 Gd NbSe x compounds with the Gd content from x=0.1 up to x=0.33 are synthesized by the direct intercalation of Gd into 2 NbSe matrix. The measurements of the dc magnetic susceptibility and magnetization in steady and pulsed magnetic fields have revealed an paramagnetic behavior of 2 Gd NbSe x . The effective magnetic moment per Gd ion in 2 Gd NbSe x is observed to be close to eff  for the free 3 Gd ion.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/99213
Conference name:	III Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации»
Conference date:	16.05.2016-20.05.2016
Origin:	Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2016). — Екатеринбург, 2016
Appears in Collections:	Конференции, семинары

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
fti_2016_170.pdf		607,15 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar