Радиационно-индуцированные дефекты в кристаллах SrMgF4, облученных быстрыми электронами

Софронова, А. Ю.; Пустоваров, В. А.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.urfu.ru/handle/10995/98256

Title:	Радиационно-индуцированные дефекты в кристаллах SrMgF4, облученных быстрыми электронами
Other Titles:	RADIATION-INDUCED DEFECTS IN SRMGF4 CRYSTAS IRRADIATED BY FAST ELECTRONS
Authors:	Софронова, А. Ю. Пустоваров, В. А.
Issue Date:	2019
Publisher:	ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ»
Citation:	Софронова А. Ю. Радиационно-индуцированные дефекты в кристаллах SrMgF4, облученных быстрыми электронами / А. Ю. Софронова, В. А. Пустоваров // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VI Международной молодежной научной конференции, посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ (Екатеринбург, 20–24 мая 2019 г.). — Екатеринбург : ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ», 2019. — C. 223-224.
Abstract:	The studies of the absorption, photoluminescence, X-ray excited luminescence and TL gloves in temperature range of 8-500 K in SrMgF4 single crystal irradiated with fast electrons were carried out. The nature of induced defects is discussed.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/98256
Conference name:	VI Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ
Conference date:	20.05.2019-24.05.2019
ISBN:	978-5-8295-0640-7
Origin:	Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2019). — Екатеринбург, 2019
Appears in Collections:	Конференции, семинары

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
978-5-8295-0640-7_2019_118.pdf		431,68 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar