Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/98256
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorСофронова, А. Ю.ru
dc.contributor.authorПустоваров, В. А.ru
dc.date.accessioned2021-06-10T10:28:51Z-
dc.date.available2021-06-10T10:28:51Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationСофронова А. Ю. Радиационно-индуцированные дефекты в кристаллах SrMgF4, облученных быстрыми электронами / А. Ю. Софронова, В. А. Пустоваров // Физика. Технологии. Инновации : тезисы докладов VI Международной молодежной научной конференции, посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУ (Екатеринбург, 20–24 мая 2019 г.). — Екатеринбург : ООО «Издательство учебно-методический центр УПИ», 2019. — C. 223-224.ru
dc.identifier.isbn978-5-8295-0640-7-
dc.identifier.urihttp://elar.urfu.ru/handle/10995/98256-
dc.description.abstractThe studies of the absorption, photoluminescence, X-ray excited luminescence and TL gloves in temperature range of 8-500 K in SrMgF4 single crystal irradiated with fast electrons were carried out. The nature of induced defects is discussed.en
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.language.isoruen
dc.publisherООО «Издательство учебно-методический центр УПИ»ru
dc.relation.ispartofФизика. Технологии. Инновации (ФТИ-2019). — Екатеринбург, 2019ru
dc.titleРадиационно-индуцированные дефекты в кристаллах SrMgF4, облученных быстрыми электронамиru
dc.title.alternativeRADIATION-INDUCED DEFECTS IN SRMGF4 CRYSTAS IRRADIATED BY FAST ELECTRONSen
dc.typeConference Paperen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjecten
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
dc.conference.nameVI Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации», посвященной 70-летию основания Физико-технологического института УрФУru
dc.conference.date20.05.2019-24.05.2019-
local.description.firstpage223-
local.description.lastpage224-
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
978-5-8295-0640-7_2019_118.pdf431,68 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.