ISSN: 2310-757X
Статистика
Посещений всего
| Посещения | |
|---|---|
| HRXRD study of the effect of a nanoporous silicon layer on the epitaxial growth quality of GaN layer on the templates of SiC/por-Si/c-Si | 93 |
Посещений по месяцам
| мая 2024 | июня 2024 | июля 2024 | августа 2024 | сентября 2024 | октября 2024 | ноября 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HRXRD study of the effect of a nanoporous silicon layer on the epitaxial growth quality of GaN layer on the templates of SiC/por-Si/c-Si | 9 | 4 | 4 | 3 | 1 | 3 | 4 |
Загрузок
| Посещения | |
|---|---|
| 10.1016-j.rinp.2019.102919.pdf | 102 |
Посещений по странам
| Посещения | |
|---|---|
| Соединенные Штаты | 53 |
| Россия | 19 |
| Франция | 6 |
| Сенегал | 4 |
| Вьетнам | 3 |
| Армения | 2 |
| Бразилия | 1 |
| Германия | 1 |
| Финляндия | 1 |
| Нидерланды | 1 |
Посещений по городам
| Посещения | |
|---|---|
| Ashburn | 21 |
| Moscow | 11 |
| Balashikha | 1 |
| Boardman | 1 |
| Des Moines | 1 |
| Khimki | 1 |
| Ryazan | 1 |
| Saratov | 1 |
| Singapore | 1 |
| Trabzon | 1 |