ISSN: 2310-757X
Статистика
Посещений всего
| Посещения | |
|---|---|
| HRXRD study of the effect of a nanoporous silicon layer on the epitaxial growth quality of GaN layer on the templates of SiC/por-Si/c-Si | 115 |
Посещений по месяцам
| октября 2024 | ноября 2024 | декабря 2024 | января 2025 | февраля 2025 | марта 2025 | апреля 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HRXRD study of the effect of a nanoporous silicon layer on the epitaxial growth quality of GaN layer on the templates of SiC/por-Si/c-Si | 3 | 8 | 7 | 3 | 6 | 1 | 1 |
Загрузок
| Посещения | |
|---|---|
| 10.1016-j.rinp.2019.102919.pdf | 110 |
Посещений по странам
| Посещения | |
|---|---|
| Соединенные Штаты | 60 |
| Россия | 21 |
| Германия | 6 |
| Франция | 6 |
| Сенегал | 4 |
| Австралия | 3 |
| Вьетнам | 3 |
| Армения | 2 |
| Бразилия | 2 |
| Китай | 1 |
Посещений по городам
| Посещения | |
|---|---|
| Ashburn | 21 |
| Moscow | 11 |
| St Petersburg | 2 |
| Balashikha | 1 |
| Boardman | 1 |
| Brisbane | 1 |
| Des Moines | 1 |
| Khimki | 1 |
| Melbourne | 1 |
| Perth | 1 |