Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/88041
Название: | XANES спектроскопия поверхностных состояний германия и структурная разупорядоченность Ge-имплантированных пленок SiO2 |
Другие названия: | XANES ANALYSIS OF GERMANIUM SURFACE STATES AND STRUCTURAL DISORDERING IN GE+ IMPLANTED THIN SILICA FILM |
Авторы: | Жидков, И. С. Зацепин, А. Ф. Курмаев, Э. З. Зацепин, Д. А. Михайлович, А. П. Петров, H. A. Zhidkov, I. S. Zatsepin, A. F. McLeod, J. A. Pong, W. F. Fitting, H.-J. Schmidt, В. Kurmaev, E. Z. Zatsepin, D. A. Mikhailovich, A. P. Petrov, N. A. |
Дата публикации: | 2015 |
Издатель: | Уральский федеральный университет |
Библиографическое описание: | XANES спектроскопия поверхностных состояний германия и структурная разупорядоченность Ge-имплантированных пленок SiO2 / И. С. Жидков, А. Ф. Зацепин, Э. З. Курмаев, Д. А. Зацепин, А. П. Михайлович, H. A. Петров // II Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2015» : тезисы докладов (Екатеринбург, 20–24 апреля 2015 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2015. — C. 92-93. |
Аннотация: | The results of measurements of XANES spectra of Ge+ implanted Si02/Si are presented. These heterostructures have a 30 nm Ge+-implanted oxide layer of amorphous Si02 on ptype Si. The chemical-state transformation of the host-matrix composition and Ge+- implanted ions are discussed after “as is” implantation and rapid thermal annealing. The XPS-analysis performed allows to conclude about the formation of Ge° and GeOx clusters within the near surface depth-range of the sample under study. It was established and demonstrated, that the annealing time-duration strongly affects the degree of formal oxidation states of Ge-atoms. |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/88041 |
Конференция/семинар: | II Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2015» Second International Youth Scientific Conference «Physics. Technologies. Innovations. PTI-2015» |
Дата конференции/семинара: | 20.04.2015-24.04.2015 |
ISBN: | 978-5-8295-0349-9 |
Сведения о поддержке: | Работа выполнена поддержке РФФИ (грант № 13-08-00568 и 13-02-91333) и Уральского Федерального Университета в рамках конкурса молодых ученых. |
Источники: | Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2015). — Екатеринбург, 2015 |
Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
978-5-8295-0349-9_2015_051.pdf | 292,4 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.