Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/88041
Название: XANES спектроскопия поверхностных состояний германия и структурная разупорядоченность Ge-имплантированных пленок SiO2
Другие названия: XANES ANALYSIS OF GERMANIUM SURFACE STATES AND STRUCTURAL DISORDERING IN GE+ IMPLANTED THIN SILICA FILM
Авторы: Жидков, И. С.
Зацепин, А. Ф.
Курмаев, Э. З.
Зацепин, Д. А.
Михайлович, А. П.
Петров, H. A.
Zhidkov, I. S.
Zatsepin, A. F.
McLeod, J. A.
Pong, W. F.
Fitting, H.-J.
Schmidt, В.
Kurmaev, E. Z.
Zatsepin, D. A.
Mikhailovich, A. P.
Petrov, N. A.
Дата публикации: 2015
Издатель: Уральский федеральный университет
Библиографическое описание: XANES спектроскопия поверхностных состояний германия и структурная разупорядоченность Ge-имплантированных пленок SiO2 / И. С. Жидков, А. Ф. Зацепин, Э. З. Курмаев, Д. А. Зацепин, А. П. Михайлович, H. A. Петров // II Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2015» : тезисы докладов (Екатеринбург, 20–24 апреля 2015 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2015. — C. 92-93.
Аннотация: The results of measurements of XANES spectra of Ge+ implanted Si02/Si are presented. These heterostructures have a 30 nm Ge+-implanted oxide layer of amorphous Si02 on ptype Si. The chemical-state transformation of the host-matrix composition and Ge+- implanted ions are discussed after “as is” implantation and rapid thermal annealing. The XPS-analysis performed allows to conclude about the formation of Ge° and GeOx clusters within the near surface depth-range of the sample under study. It was established and demonstrated, that the annealing time-duration strongly affects the degree of formal oxidation states of Ge-atoms.
URI: http://elar.urfu.ru/handle/10995/88041
Конференция/семинар: II Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2015»
Second International Youth Scientific Conference «Physics. Technologies. Innovations. PTI-2015»
Дата конференции/семинара: 20.04.2015-24.04.2015
ISBN: 978-5-8295-0349-9
Сведения о поддержке: Работа выполнена поддержке РФФИ (грант № 13-08-00568 и 13-02-91333) и Уральского Федерального Университета в рамках конкурса молодых ученых.
Источники: Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2015). — Екатеринбург, 2015
Располагается в коллекциях:Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
978-5-8295-0349-9_2015_051.pdf292,4 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.