XANES спектроскопия поверхностных состояний германия и структурная разупорядоченность Ge-имплантированных пленок SiO2

Жидков, И. С.; Зацепин, А. Ф.; Курмаев, Э. З.; Зацепин, Д. А.; Михайлович, А. П.; Петров, H. A.; Zhidkov, I. S.; Zatsepin, A. F.; McLeod, J. A.; Pong, W. F.; Fitting, H.-J.; Schmidt, В.; Kurmaev, E. Z.; Zatsepin, D. A.; Mikhailovich, A. P.; Petrov, N. A.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/88041

Название:	XANES спектроскопия поверхностных состояний германия и структурная разупорядоченность Ge-имплантированных пленок SiO2
Другие названия:	XANES ANALYSIS OF GERMANIUM SURFACE STATES AND STRUCTURAL DISORDERING IN GE+ IMPLANTED THIN SILICA FILM
Авторы:	Жидков, И. С. Зацепин, А. Ф. Курмаев, Э. З. Зацепин, Д. А. Михайлович, А. П. Петров, H. A. Zhidkov, I. S. Zatsepin, A. F. McLeod, J. A. Pong, W. F. Fitting, H.-J. Schmidt, В. Kurmaev, E. Z. Zatsepin, D. A. Mikhailovich, A. P. Petrov, N. A.
Дата публикации:	2015
Издатель:	Уральский федеральный университет
Библиографическое описание:	XANES спектроскопия поверхностных состояний германия и структурная разупорядоченность Ge-имплантированных пленок SiO2 / И. С. Жидков, А. Ф. Зацепин, Э. З. Курмаев, Д. А. Зацепин, А. П. Михайлович, H. A. Петров // II Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2015» : тезисы докладов (Екатеринбург, 20–24 апреля 2015 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2015. — C. 92-93.
Аннотация:	The results of measurements of XANES spectra of Ge+ implanted Si02/Si are presented. These heterostructures have a 30 nm Ge+-implanted oxide layer of amorphous Si02 on ptype Si. The chemical-state transformation of the host-matrix composition and Ge+- implanted ions are discussed after “as is” implantation and rapid thermal annealing. The XPS-analysis performed allows to conclude about the formation of Ge° and GeOx clusters within the near surface depth-range of the sample under study. It was established and demonstrated, that the annealing time-duration strongly affects the degree of formal oxidation states of Ge-atoms.
URI:	http://elar.urfu.ru/handle/10995/88041
Конференция/семинар:	II Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2015» Second International Youth Scientific Conference «Physics. Technologies. Innovations. PTI-2015»
Дата конференции/семинара:	20.04.2015-24.04.2015
ISBN:	978-5-8295-0349-9
Сведения о поддержке:	Работа выполнена поддержке РФФИ (грант № 13-08-00568 и 13-02-91333) и Уральского Федерального Университета в рамках конкурса молодых ученых.
Источники:	Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2015). — Екатеринбург, 2015
Располагается в коллекциях:	Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:

Файл	Описание	Размер	Формат
978-5-8295-0349-9_2015_051.pdf		292,4 kB	Adobe PDF	Просмотреть/Открыть

Показать полное описание ресурса Статистика Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.