XANES спектроскопия поверхностных состояний германия и структурная разупорядоченность Ge-имплантированных пленок SiO2

Жидков, И. С.; Зацепин, А. Ф.; Курмаев, Э. З.; Зацепин, Д. А.; Михайлович, А. П.; Петров, H. A.; Zhidkov, I. S.; Zatsepin, A. F.; McLeod, J. A.; Pong, W. F.; Fitting, H.-J.; Schmidt, В.; Kurmaev, E. Z.; Zatsepin, D. A.; Mikhailovich, A. P.; Petrov, N. A.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.urfu.ru/handle/10995/88041

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Жидков, И. С.	ru
dc.contributor.author	Зацепин, А. Ф.	ru
dc.contributor.author	Курмаев, Э. З.	ru
dc.contributor.author	Зацепин, Д. А.	ru
dc.contributor.author	Михайлович, А. П.	ru
dc.contributor.author	Петров, H. A.	ru
dc.contributor.author	Zhidkov, I. S.	en
dc.contributor.author	Zatsepin, A. F.	en
dc.contributor.author	McLeod, J. A.	en
dc.contributor.author	Pong, W. F.	en
dc.contributor.author	Fitting, H.-J.	en
dc.contributor.author	Schmidt, В.	en
dc.contributor.author	Kurmaev, E. Z.	en
dc.contributor.author	Zatsepin, D. A.	en
dc.contributor.author	Mikhailovich, A. P.	en
dc.contributor.author	Petrov, N. A.	en
dc.date.accessioned	2020-08-26T05:40:11Z	-
dc.date.available	2020-08-26T05:40:11Z	-
dc.date.issued	2015	-
dc.identifier.citation	XANES спектроскопия поверхностных состояний германия и структурная разупорядоченность Ge-имплантированных пленок SiO2 / И. С. Жидков, А. Ф. Зацепин, Э. З. Курмаев, Д. А. Зацепин, А. П. Михайлович, H. A. Петров // II Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2015» : тезисы докладов (Екатеринбург, 20–24 апреля 2015 г.). — Екатеринбург : УрФУ, 2015. — C. 92-93.	en
dc.identifier.isbn	978-5-8295-0349-9	-
dc.identifier.uri	http://elar.urfu.ru/handle/10995/88041	-
dc.description.abstract	The results of measurements of XANES spectra of Ge+ implanted Si02/Si are presented. These heterostructures have a 30 nm Ge+-implanted oxide layer of amorphous Si02 on ptype Si. The chemical-state transformation of the host-matrix composition and Ge+- implanted ions are discussed after “as is” implantation and rapid thermal annealing. The XPS-analysis performed allows to conclude about the formation of Ge° and GeOx clusters within the near surface depth-range of the sample under study. It was established and demonstrated, that the annealing time-duration strongly affects the degree of formal oxidation states of Ge-atoms.	en
dc.description.sponsorship	Работа выполнена поддержке РФФИ (грант № 13-08-00568 и 13-02-91333) и Уральского Федерального Университета в рамках конкурса молодых ученых.	ru
dc.format.mimetype	application/pdf	en
dc.language.iso	ru	en
dc.publisher	Уральский федеральный университет	ru
dc.relation.ispartof	Физика. Технологии. Инновации (ФТИ-2015). — Екатеринбург, 2015	ru
dc.title	XANES спектроскопия поверхностных состояний германия и структурная разупорядоченность Ge-имплантированных пленок SiO2	ru
dc.title.alternative	XANES ANALYSIS OF GERMANIUM SURFACE STATES AND STRUCTURAL DISORDERING IN GE+ IMPLANTED THIN SILICA FILM	en
dc.type	Conference Paper	en
dc.type	info:eu-repo/semantics/conferenceObject	en
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion	en
dc.conference.name	II Международная молодежная научная конференция «Физика. Технологии. Инновации. ФТИ-2015»	ru
dc.conference.name	Second International Youth Scientific Conference «Physics. Technologies. Innovations. PTI-2015»	en
dc.conference.date	20.04.2015-24.04.2015	-
local.description.firstpage	92	-
local.description.lastpage	93	-
local.fund.rffi	13-08-00568	-
local.fund.rffi	13-02-91333	-
Располагается в коллекциях:	Конференции, семинары

Файлы этого ресурса:

Файл	Описание	Размер	Формат
978-5-8295-0349-9_2015_051.pdf		292,4 kB	Adobe PDF	Просмотреть/Открыть

Показать базовое описание ресурса Статистика

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.