Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10995/83742
Title: Способ калибровки слитка полупроводникового материала
Other Titles: SEMICONDUCTOR MATERIAL INGOT CALIBRATION METHOD
Patent Number: 2682564
Authors: Жуков, Ю. Н.
Тихонов, И. Н.
Агаева, Э. Э.
Issue Date: 2019-03-19
Abstract: FIELD: electrical engineering. SUBSTANCE: invention relates to the field of electronic products manufacturing, which workpiece is the semiconductor material ingot, which requires calibration, i.e., the cylindrical surface production. In the semiconductor material ingot calibration method, including roughing and finishing, finishing is performed by grinding with diamond wheels with a grain size of 160–250 mcm, and finishing is performed by turning with the cutting depth of 250–350 mcm with the feed of 500–700 mcm/rpm by the diamond blade tool, which main cutting edge has a rounding radius of 0.2–0.5 mcm and is set parallel to the axis. EFFECT: technical result consists in increase in the ingot surface layer quality, reduction in the damaged surface layer after processing, increase in the process productivity, eliminating the long-lasting finishing grinding, replacing the blade processing.
Изобретение относится к области изготовления изделий электронной техники, заготовкой для которых является слиток полупроводникового материала, требующий калибровки - получение цилиндрической поверхности. Технический результат заключается в повышении качества поверхностного слоя слитка, уменьшении нарушенного слоя поверхности после обработки, увеличении производительности процесса, исключении длительного чистового шлифования, замене лезвийной обработки. В способе калибровки слитка полупроводникового материала, включающем черновую и чистовую обработку, чистовую обработку выполняют шлифованием алмазными кругами зернистостью 160-250 мкм, а чистовую обработку выполняют точением с глубиной резания 250-350 мкм при подаче 500-700 мкм/об лезвийным алмазным инструментом, главная режущая кромка которого имеет радиус скругления 0,2-0,5 мкм и установлена параллельно оси.
Keywords: PATENT
INVENTION
ПАТЕНТ
ИЗОБРЕТЕНИЕ
URI: http://hdl.handle.net/10995/83742
RSCI ID: 37358435
Patent Type: Патент на изобретение
Patent Owner: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" (УрФУ)
Appears in Collections:Патенты и изобретения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2682564.pdf370,86 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.