Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elar.urfu.ru/handle/10995/81131
Название: | Structural, Morphological and 1/f noise Properties of ITO/TiO2 thin Films by e-beam Evaporation System for Optoelectronic Device Applications |
Авторы: | Manjunath, V. Sowmya, D. V. Murali Mohan Achari, K. Sandhya, P. Sravya, G. Ananda, P. Krishnaiah, M. |
Дата публикации: | 2019 |
Издатель: | Индивидуальный предприниматель Шестакова Екатерина Вячеславовна |
Библиографическое описание: | Structural, Morphological and 1/f noise Properties of ITO/TiO2 thin Films by e-beam Evaporation System for Optoelectronic Device Applications / V. Manjunath, D. V. Sowmya, K. Murali Mohan Achari, P. Sandhya, G. Sravya, P. Ananda, M. Krishnaiah // Современные синтетические методологии для создания лекарственных препаратов и функциональных материалов (MOSM2019) : 3-я Международная научно-практическая конференция : материалы и доклады (Екатеринбург, 13–16 ноября 2019 г.). — Екатеринбург : Индивидуальный предприниматель Шестакова Екатерина Вячеславовна, 2019. — ISBN 978-5-6044427-0-8. — PR-18. |
URI: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/81131 |
Конференция/семинар: | 3rd Conference "Modern Synthetic Methodologies for Creating Drugs and Functional Materials" (MOSM2019) Третья международная научно-практическая конференция "Современные синтетические методологии для создания лекарственных препаратов и функциональных материалов" (MOSM2019) |
Дата конференции/семинара: | 13.11.2019-16.11.2019 |
Идентификатор РИНЦ: | https://www.elibrary.ru/item.asp?id=43090996 |
ISBN: | 978-5-6044427-0-8 |
Источники: | Современные синтетические методологии для создания лекарственных препаратов и функциональных материалов (MOSM2019). — Екатеринбург, 2019 |
Располагается в коллекциях: | Конференции, семинары |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
978-5-6044427-0-8_2019_091.pdf | 710,31 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.